スポンサーリンク
Mirai-aset | 論文
- 反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション
- Comparative Studies on Oxygen Diffusion Coefficients for Amorphous and γ-Al_2O_3 Films using ^O Isotope
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- ラジカル酸窒化法を用いた低リークかつ高信頼1.5nmゲート酸窒化膜
- Silicon-Atom Induced Fermi-Level Pinning of Fully Silicided Platinum Gates on HfO_2 Dielectrics
- Degradation Mechanism of HfAlO_x/SiO_2 Stacked Gate Dielectric Films through Transient and Steady State Leakage Current Analysis
- ひずみSi p-MOSFETにおける正孔移動度の増大
- シリコン系ナノクリスタル形成技術 (特集:ナノ領域の先端研究--21世紀のキー技術を求めて)
- Impact of Initial Traps on TDDB and NBTI Reliabilities in High-k Gate Dielectrics
- Si-Capped Annealing of HfO_2-based Dielectrics for Suppressing Interface Layer Growth and Oxygen Out-Diffusion
- The first principles calculations of Fermi level pinning in FUSI/PtSi/HfO_2/Si system induced by local distortion of HfO_2
- Theoretical analysis of the Fermi level pinning in HfO_2/Si system induced by the interface defect states
- Effects of Aluminum and Nitrogen Profile Control on Electrical Properties of HfAlON Gate Dielectric MOSFETs
- Theoretical Analysis of Interstitial Boron Diffusion and Its Suppression Mechanism with Nitrogen in Amorphous HfO_2
- Flat-band Voltage Tunability and No Depletion Effect of Poly-Si Gate CMOS with Nanometer-size Metal Dots at the Poly-Si/Dielectric Interface
- Nonlinear Al Concentration Dependence of the HfAlO_x/Si Conduction Band Offset Studied by Internal Photoemission Spectroscopy
- Poly-Si Comparable Fermi-Level Pinning of Fully Silicided Platinum Gates on HfO_2