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Department of Electronic Engineering | 論文
- 有機物バリヤを用いた高温超伝導トンネル接合の作製と特性
- 低エネルギー酸素イオンビームを用いたn型Si(100)基板上への薄いSi酸化膜の形成
- GaAs探針を用いたスピン偏極STMの問題点
- HFD変換とPsc4型磁気脈動との位相関係について
- HFD変動とPsc4型磁気脈動との位相関係について
- 菅平宇宙電波観測所に於けるホイッスラー空電観測(3) : 1年間の観測データから見た諸特性
- OGO-1衛星で観測されたVLF帯のトリガード・エミッション
- 新形式トランジスタ電動機
- Vertical Profile of AGW Activities in the Auroral E- and Lower F-region Observed EISCAT
- EXOS-A衛星で観測されたLHRホイスラ(c.磁気圏内の波動粒子相互作用)(第2回極域における電離圏磁気圏総合観測シンポジウム : Part I)
- EXOS-A搭載プラズマ波観測器
- NWC(22.3kHz)-菅平伝搬における夜間電界強度変動(I) : X線星(Scorpius XR-1)の影響について
- 地球磁気境界領域における波の発生について
- 高感度かつ定量的なマイクロ波生体変位計測の一方法
- 医療応用をめざしたマイクロ波変位計の一方式
- Minimization of BF^+_2-Implantation Dose to Reduce the Annealing Time for Ultra-Shallow Source/Drain Junction Formation below 600℃
- Reduction of BF2+-Implantation Dose to Minimize the Annealing Time for Ultra-Shallow Source/Drain Junction Formation below 600℃
- A Comparative Examination of Ion Implanted n^+p Junctions Annealed at 1000℃ and 450℃
- Formation of Ultra-Shallow and Low-Leakage p^+n Junctions by Low-Temperature Post-Implantation Annealing
- Effect of Substrate Boron Concentration on the Integrity of 450℃-Annealed Ion-Implanted Junctions