スポンサーリンク
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering And Research Center For Interface Quantu | 論文
- レーザアブレーション法による炭素薄膜の堆積
- Involvement of Mechanical Stretch in the Gelatinolytic Activity of the Fibrous Sclera of Chicks, In Vitro
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- n-Si(001)上に形成した極薄絶縁膜/Si界面の超高真空対応非接触C-V法による評価
- 単電子デバイスの準静的動作による断熱的スイッチング(半導体材料・デバイス)
- C-11-2 SOI表面に対する超高真空非接触C-V測定の適用
- QMESFETの提案と試作
- QMESFETの提案と試作
- C-11-8 SOIを用いた絶縁ゲート型MESFETの試作
- 単電子インバータ回路の設計と多値特性の導出
- C-8-2 多種の終端を持つBDDにもとづく磁束転送論理回路
- 量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解
- C-12-45 多値信号を利用したカラーペトリネットの回路化
- 量子ホップフィールドネットワークによる最適化問題の求解
- Fluorinated Carbon Films with Low Dielectric Constant Made from Novel Fluorocarbon Source Materials by RF Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
- Characterization of Deep Levels in Si-Doped In_xAl_As Layers Growrn by Molecular Beam Epitaxy
- Reappraisal of Si-Interlayer-Induced Change of Band Discontinuity as GaAs-AlAs Heterointerface Taking Account of Delta-Doping
- Fabrication of InGaAs Wires by Preferential Molecular Beam Epitaxy Growth on Corrugated InP Substrate
- Formation of ultrathin SiNx∕Si interface control double layer on (001) and (111) GaAs surfaces for ex situ deposition of high-k dielectrics
- Control of GaAs and InGaAs Insulator-Semiconductor and Metal-Semiconductor Interfaces by Ultrathin Molecular Beam Epitaxy Si Layers