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首都大学東京大学院理工学研究科電気電子工学専攻 | 論文
- C-10-11 共鳴トンネルダイオードにおける量子インダクタンスと量子キャパシタンスの評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 密度行列のレート方程式解析による共鳴トンネルダイオードの等価回路同定(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 共鳴トンネルダイオードを用いた集積型ジャイレータ構成の検討(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析 (電子デバイス)
- 微分負性抵抗領域にバイアスされた共鳴トンネルダイオードの緩和振動抑制条件の理論解析(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 三重障壁共鳴トンネルダイオードの特性解析とモデリング(センサデバイス,MEMS,一般)
- C-10-4 三重障壁共鳴トンネルダイオードを用いたミリ波・サブミリ波帯におけるゼロバイアス検波の理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-3 共鳴トンエルダイオードにおける自励振動抑制条件の理論解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 10-219 電気工学科における電気工学実験について((2)専門科目の講義・演習-V)
- Si(111)基板上での30゜回転InSb薄膜層形成に対するIn及びSb層の効果(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- Si(111)-√7×√3-In表面再構成構造を介したInSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- Si基板上のInSb単分子初期層を介した高品質InSb薄膜形成(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- Si(111)-(7×7)再構成表面上におけるInナノクラスター配列構造上へのSb吸着(薄膜プロセス・材料,一般)
- 5-214 電気系学科における基礎専門科目教育について((2)専門科目の講義・演習-IV)
- 3重障壁共鳴トンネルダイオードのデバイス物理を反映したSPICEモデリング(共鳴トンネルダイオードと回路応用,量子効果デバイス及び関連技術)
- B-4-14 Ham-F12溶液の中間周波数帯における導電率と誘導電流(B-4.環境電磁工学,一般講演)
- C-10-19 共鳴トンネルダイオードにおける自己バイアス効果を考慮した動特性解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- スピン分離量評価へ向けたInSb系三重障壁共鳴トンネルダイオードの電流電圧特性解析 (電子デバイス)
- 粒子群最適化手法を用いた三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路の同定 (電子デバイス)
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