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荏原 | 論文
- STI-CMP性能に及ぼすウェーハエッジ形状の影響 : FEM解析を用いたウェーハ面圧分布計算による考察(機械要素,潤滑,設計,生産加工,生産システムなど)
- 29a-PS-23 シリコンおよび金属表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 水酸基と相互作用するシリコン単結晶(001)水素終端化表面の第1原理分子動力学シミュレーション
- 5a-B-4 Si(001)水素終端化表面の水酸基によるエッチング現象の第一原理計算(I)
- 超純水のみによる電気化学的加工法の銅ダマシン配線形成プロセスへの応用
- シリコンウェーハ製造研磨におけるウェーハエッジ形状の影響評価
- 半導体デバイスと平坦化加工技術の動向と今後の展開(半導体デバイスの平坦化技術)
- 21706 CMPによる絶縁膜残留応力変化の有限要素法解析(配線2,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 21703 CMP加工精度が実効誘電率(k_)に与える影響(配線1,OS.12 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響(機械要素,潤滑,工作,生産管理など)
- 20115 CMP中のLow-k材料界面に作用する応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20114 フラッシュランプアニールの熱応力解析(機械工学が支援する先端デバイス評価技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- 20101 機械工学が支援できる最先端デバイス(1) : Cu/low-k配線構造のCMPプロセスにおける有限要素法応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術,OS1 機械工学が支援する微細加工技術(半導体・MEMS・NEMS))
- CMPにおけるウェーハエッジロールオフの影響
- 20705 ダマシン構造におけるvia部最大応力の有限要素法解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 20704 STI-CMPに及ぼすナノトポグラフィの影響解析 : スラリ選択比に対する許容段差の定量的評価(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- 20703 Cu/porous low-k構造におけるCMP中の応力解析(機械工学が支援する半導体製造技術(I),OS13 機械工学が支援する半導体薄膜製造技術)
- CMPに与える表面トポグラフィーの影響解析
- 1206 活性炭細孔に吸着されたアルカン分子の分子動力学シミュレーション
- CMP性能に及ぼすプロセスパラメータの影響
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