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立命館大学 総合理工学研究機構 | 論文
- AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBEによるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- RF-MBE法によるSiC基板上GaN成長における水素添加効果
- プラスティックセルアーキテクチャへのアレイ型論理マッピング手法
- プラスティックセルアーキテクチャへのアレイ型論理マッピング手法
- スケーラブル符号化のためのJPEG2000符号器アーキテクチャ
- スケーラブル符号化のためのJPEG2000符号器アーキテクチャ
- スケーラブル符号化のためのJPEG2000符号器アーキテクチャ
- BDDサイズに着目したPCA-Chip2のための変数順序決定手法
- LUTアレイ型PLDの設計と試作
- LUTアレイ型PLDの設計と試作
- LUTアレイ型PLDの設計と試作
- A-3-18 LUTアレイ型PLDの設計と試作
- SiC基板上GaNのエッチングによる転位密度評価 : エピキタシャル成長IV
- サファイア基板上InN成長での回転ドメインの存在 : エピキタシャル成長II
- RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
- RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長
- RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性
- MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討