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神奈川大学 工学部 電気工学科 | 論文
- 角正方形切断正方形平面回路の固有モードの計算 : モード対応多線条伝送線路等価回路に基づいて
- 有厚ストリップ線導波路の等価回路に基づく固有モード解析 : 高さモード展開による平面回路方程式に基づいて
- ストリップ線角斜め切断直角曲がりの周波数特性 : フォスタ型等価回路による
- ストリップ線角切断直角曲がりの固有モード展開による解析 : モード数による収束性, 最適切断の検討
- 多層薄膜EL素子におけるゲート層の動作について
- F-017 「コミュニケーション知能」に関する工学研究の一提案(F.人工知能)
- レーザアブレーションによってMnをドープしたCVD-ZnS薄膜の作製
- RFスパッタリング法による ZnS/Si 構造の熱処理効果
- ZnS/p-Si 構造における C-V 特性の電気的ストレスの影響
- Al/Y_2O_3/ZnS(Sm,F)/Al/Al_2O_3/Y_2O_3/ITO 積層構造の初期 Q-V 特性
- 14)金属Znをソース材料としたCVD法によるZnS : Mn膜の作製とその発光特性(情報ディスプレイ研究会 : 発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- Al/Y_2O_3/ZnS(Sm,F)/Al/Y_2O_3/ITO積層構造の初期Q-V特性へのフォーミング処理の効果
- 減圧熱CVDによるZnS :Mn薄膜の電界発光特性
- RFスパッタによるZnS/p-Siヘテロ接合のC-V特性への成膜条件の影響
- 金属Znをソース材料としたCVD法によるZnS : Mn膜の作製とその発光特性
- 金属Znをソース材料としたCVD法によるZnS : Mn膜の作製とその発光特性
- A1/Y_2O_3/Zns(Sm,F)/A1/Y_2O_3/SnOx積層構造の初期Q-V特性
- RFスパッタによるZnS/p-Si接合の特異なC-V特性に関する一検討
- 減圧熱CVDによるZnS膜の成膜温度依存性
- Si,GaAs,InSb基板上のJosephson素子の製作.