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産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 | 論文
- 29aWD-8 スピン偏極 STS による Cr(001) 超薄膜の表面磁区観察
- Cr(001)薄膜の表面磁気構造-スピン偏極STSによる観察
- Fe(001)面のスピン偏極電子のステップでの散乱 : STMを用いた微分コンダクタンス像による観察
- スピン偏極走査トンネル顕微鏡の最近の進展
- 27aPS-25 Fe(001)薄膜のSTM/STS観察
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 極微FinFETおよびMulti-FinFETにおける特性ばらつき評価(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 22aYC-2 Zn_Cr_xTeの光電子分光と内殻磁気円二色性(磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高収束電子ビームを目指した静電レンズ一体型フィールドエミッタの作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- シリコンフォトニクス(招待講演)
- 薄膜立体化技術を用いたFEA作製(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- Field Emitter Arrayの高機能化とその応用 : FEAを用いた新規アプリケーションの提案(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 集束電極付FEAを用いたCdTe-X線イメージセンサの提案(機能ナノデバイスとおよび関連技術)
- HfAlOバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETの電気的特性とバッファ層の製膜条件との関係
- フィールドエミッションアレイを用いたX線イメージング技術
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発
- 高精細FED用ダブルゲートFEAの開発(ディスプレイに関する技術全般,LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品・材料及び応用技術,発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 低合金鋼A533Bにおける疲労のSQUIDによる観察(第8回MAGDAコンファレンス)
- 30p-E-13 Fe_Pt_規則および不規則合金の内殻吸収端磁気円二色性
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