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産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門 | 論文
- 30p-E-12 MBE製作FeおよびCo単結晶のM_吸収端磁気円二色性
- デバイス特性による Si ナノ細線の評価と自己抑止酸化による細線幅の改善
- 絶縁膜上での世界最小のゲ-ト長40nmMOSFETの試作に成功
- 24pPSB-39 (10-0)hcp Co 微粒子格子の角度依存磁化反転過程
- 26pPSA-38 エピタキシャル(10・0)Coドット格子の磁気異方性と磁化状態
- 29p-J-3 エピタキシャル(10・0)Coドット格子の磁化容易軸再配列
- 25aXJ-1 II-V族希薄磁性半導体Zn_Cr_xTeの光電子分光とX線吸収分光(25aXJ 磁性半導体,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 22aQG-5 MgO-強磁性トンネルトランジスタ出力特性のショットキーバリア高さ依存性(22aQG スピントロニクス・微小領域磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 24pWK-7 MgO-強磁性トンネルトランジスタのTMRとMC効果(24pWK 薄膜・人工格子磁性,表面・界面磁性,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pWD-9 MgOトンネルバリアを持つ強磁性トンネルトランジスタの伝導特性(薄膜・人工格子磁性,領域3,磁性,磁気共鳴)
- トンネルバリアがある場合のスピン注入磁化反転の理論
- 22pWA-11 層状反強磁性 Cr (001) 挿入層による TMR 効果の振動
- 30pWD-6 強磁性金属トンネル素子における量子サイズ効果と界面効果
- 30pWD-6 強磁性金属トンネル素子における量子サイズ効果と界面効果
- 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果(最近の研究から)
- 磁気トンネル接合のTMR効果と共鳴トンネル効果
- 単結晶電極をもつ強磁性トンネル接合のトンネル磁気抵抗効果
- トンネル磁気抵抗素子におけるスピン依存量子サイズ効果の理論
- Fe(100)強磁性トンネル接合の量子井戸効果 : 磁気抵抗効果・交換結合
- 18pWA-5 極薄Fe(100)電極を持つ強磁性トンネル接合の量子井戸効果
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