スポンサーリンク
沖電気工業株式会社超LSI研究開発センタ | 論文
- VCO直接位相制御方式を用いた3.3V 777.6Mbpsデータ再生回路
- 3.3V 800Mbpsシリアル伝送用データ再生回路の検討
- 低電圧(3V)シリアルインタフェース用データ再生回路の試作
- MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション
- MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション
- MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション
- MOSFETスナップバック特性のプロセスデバイスシミュレーション
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
- 統合シミュレーションシステムUNISAS-Xの開発
- TCADを用いた半導体製造プロセスの最適化
- MO-CVDによるSrBi_2Ta_2O_9薄膜を用いた0.25μm級FeRAM用スタックキャパシタの開発
- SBT膜と新構造スタックセルを用いた4Mb FeRAM(デバイス/回路動作 : 強誘電体薄膜とデバイス応用)
- インバースモデリングによるMOSFETの疑似2次元プロファイル抽出
- インバースモデリング技術を用いたMOSFETチャネルプロファイル抽出法の検討
- 2.4Gb/s用低消費電力11×320Mb/s並列光伝送用LSIの開発
- フラッシュメモリセルBBT現象のシミュレーションによる解析と高信頼性セルの開発(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
- サリサイドMOSFETのプロセス/デバイス一貫シミュレーション
- 高速CMOSインタフェース回路:ALINX