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沖電気工業(株)半導体技術研究所 | 論文
- 低雑音10Gb/s AGC機能付きトランスインピーダンスアンプ
- GaAs/Si エピタキシー
- III-V on Si(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
- 0.15μmCMOSトランジスタを用いた低電力プリアンプIC
- 0.14μm CMOSトランジスタを用いた1:8 DEMUX
- 高濃度ベースセルフアライン型SiGe HBTにおけるGe組成の検討
- 高濃度ベース層を有するセルフアライン型SiGe HBT
- 酸化タンタル膜キャパシタに適した上部電極材料の検討
- タングステン(W)ゲ-トMOS特性へ与えるW膜応力の影響
- 平面実装光モジュール用鏡面反射型フォトダイオード
- 10Gbps用鏡面反射型フォトダイオード
- 平面実装用鏡面反射型PIN-PD
- 表面実装用側面光入射型PIN受光素子
- ダブルリセス構造0.1μmゲートpseudomorphic InP-HEMTの評価(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- ダブルリセス構造0.1μmゲート pseudomorphic InP-HEMT の評価
- 40 Gb/s 光通信用ダブルリセス構造0.1μmゲートInP-HEMT
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- ED2000-94 再結合促進欠陥反応を用いたInGaAs/AlGaAs PHEMTのRIEダメージ回復過程
- 3PD024 DNA-蛋白質配列間アラインメントに基づく遺伝子構造予測の精度の検証