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武蔵工大工 | 論文
- 28pSE-11 EUSO ミッション (29) MAPMT 開発状況(超高エネルギー宇宙線, 宇宙線)
- 29pSD-1 BASJEアレイ拡張計画IV(29pSD 高・超高エネルギー宇宙線,宇宙線・宇宙物理領域)
- 13aSC-3 BASJEアレイ拡張計画III(13aSC 高・超高エネルギー宇宙線 : 空気シャワーアレイ・気球実験他,宇宙線・宇宙物理領域)
- シリコンの低温酸化膜の組成・構造遷移層の酸化プロセス依存性(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- 第36回炭素材料学会年会報告
- 26pPSA-66 希土類鉄磁石を用いた簡易磁場印加型CEMS用比例計数管
- 半導性ガラス(20Na_2O-20Fe_2O_3-60P_2O_5)の低温メスバウア-分光
- α-Fe_2O_3のFe^イオンの四極子分裂およびアイソマ-シフトの温度依存性
- 10MnO-30Fe_2O_3-60P_2O_5半導性ガラスの低温メスバウアー分光(II)
- 29a-PS-54 10MnO-30Fe_2O_3-60P_2O_5半導性ガラスの低温メスバウアー分光
- 2a-PS-49 SUS304、316Lの低温メスバウアー分光とX線回折
- 3a-C4-7 Impurity effects of the SiO_2-Si(100)interface studied by Angle-Resolved UPS
- 13aTJ-9 SiO_2/Si 界面下に誘起されたメゾスコピックスケール歪みの解明 : 位相敏感 X 線回折法による(X 線・粒子線 : X 線, 領域 10)
- 14pXG-10 SiO_2/Si 界面下に誘起された歪み場中の静的構造揺らぎ(表面界面構造 : 半導体, 領域 9)
- SiO_2/Si界面下に誘起された格子歪み : 位相敏感X線回折法による(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 位相敏感X線回折法によるSiO_2/Si界面以下の微小歪みの測定(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 28pWN-4 グラファイトのエッジ状態のSTM・STS観察(グラファイト・クラスター・クラスレート)(領域7)
- 31pZF-1 格子歪を持つ多層グラファイトの量子干渉効果の STM 観察
- 30a-SG-12 ^Arβ崩壊非対称パラメータ測定II
- 27a-SPS-14 CAMACシステム(KODAQ)を用いた内部転換電子メスバウアー分光(II)