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松下電子工業 | 論文
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 蛍光体中のEu^の結晶場分裂と最低励起準位の計算
- 自己整合プロセスを用いた単一電源動作パワーHFET
- 9. 電球形蛍光灯の光束立ち上がり特性改善
- 2V/100ns 1T/1C強誘電体メモリアーキテクチャー
- STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- STOキャパシタを内蔵した0.5〜5.3GHz広帯域アンプMMICの試作
- WSiサイドウォールゲートを用いた新しいサブクォータミクロンGaAs MESFETプロセス
- PHS用送受信一体型GaAs MMICの検討
- マイクロコンピュ-タのテレビ電子選局システムへの応用 (マイクロコンピュ-タとその応用) -- (マイクロコンピュ-タの応用)
- ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
- ETC用単一電源パワーMMICの開発
- PHS用高効率パワーMMICの開発
- PHS用送受信一体型ハイブリッドICの開発
- 高効率単一電源GaAsパワーMMIC
- 無電解めっきNiコアバンプのTABへの適用検討
- 光硬化性樹脂を用いたソルダレス接続方式による薄膜磁気ヘッド実装技術
- 光近接効果補正を考慮した統計的ゲートCD制御手法の開発
- 光近接効果補正を考慮した統計的ゲートCD制御手法の開発