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松下電子工業株式会社電子総合研究所 | 論文
- 低誘電率膜を用いた0.15μmT型ゲートMODFET
- C-10-7 SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- C-10-5 低温成膜STO容量素子の熱処理特性
- SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
- 埋込みチャンネルCPD形固体撮像素子
- 3-13 CPD撮像素子の埋込み化による特性改善
- 2/3インチ45万画素FIT-CCD撮像素子 : 情報入力
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
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- 3.放送用撮像素子と回路技術(撮像素子と周辺回路)
- 1.9GHz帯パワーHBT MMIC
- 超小型高効率GaAsパワーアンプ
- デジタル携帯電話用0.2cc MuMIC パワーアンプ
- スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
- 1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET
- 入力側2次高調波制御による高効率電力増幅器
- AIN基板の放熱特性とパワーMCMへの応用
- 24)CPD撮像素子における呼び水転送効率の解析((テレビジョン電子装置研究会(第117回)画像表示研究会(第77回))合同)
- CPD撮像素子における呼び水転送効率の解析
- IEDM'89