スポンサーリンク
松下電子工業株式会社電子総合研究所 | 論文
- 2) Pウェル形CPD撮像素子(テレビジョン電子装置研究会(第120回))
- Pウエル型CPD撮像素子
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 強誘電体メモリを用いたReconfigurable Logicとその性能評価
- 新エッジ構造によるBSTキャパシタの特性改善
- GaAsIC用BSTキャパシタの信頼性に及ぼす粒界の影響
- 4-12 高精細DC型PDPのパルスメモリー駆動
- SC-7-6 温特補償バイアス回路を有するW-CDMA用 高効率 HBT MMIC
- 6. 蛍光ランプの蛍光体膜厚均一化による全光束向上((1)光源・回路・放電現象(I)(電球・蛍光ランプ関係))
- 16. アルミナ厚最適化による3波長形蛍光ランプの低水銀化技術((1)光源・回路・放電現象(I)(電球・蛍光ランプ関係))
- 15. 直管蛍光ランプにおける水銀消費要因の評価 : 蛍光ランプ各品種における低水銀化の可能性((1)光源・回路・放電現象(I)(電球・蛍光ランプ関係))
- 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性
- 強誘電体キャパシタにおける分極減衰・ヒステリシス歪曲の温度依存性
- ワイドギャップ半導体の高周波パワー応用 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)