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松下電子工業株式会社電子総合研究所 | 論文
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- Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
- 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
- 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
- W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
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- ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
- ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
- 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
- 1.5GHz6.5V/1WディジタルMCA携帯端末用パワーモジュール
- 携帯ディジタルMCA用高出力GaAsパワ-モジュ-ル (特集 マルチメディアを支える半導体) -- (デバイス)
- イオン注入GaAsMESFETの歪特性とデュアルモードパワーモジュールの試作
- Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
- W-CDMA基地局用200W MODFET
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- AlGaAs系低雑音高出力半導体レーザー - 実屈折率導波構造による低非点隔差化 -
- 集積回路内蔵型高速ホログラムユニット
- 超薄形光ピックアップ用LDH(レーザ・受光素子・ホログラム)ユニット
- 光ディスク用実用屈折率導波(RISA)型AlGaAs半導体レーザー
- 2-3 相変化光ディスク用高速三値レーザ制御変調方式