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松下電器産業 (株) 半導体研究センター | 論文
- UHV-CVD法によるSiGeC混晶半導体のエピタキシャル成長
- 酸素イオン注入によるII-VI族青緑色レーザ
- AlGaN励起子分子による紫外線発光
- CdZnSe/ZnSe SCH構造のTEM,CL観察
- Si (001) 表面の酸化初期過程の走査型トンネル顕微鏡観察
- 超高真空加熱による原子的に平滑なシリコン-酸化膜界面形成
- ZnCdSe系青色面発光レーザダイオード
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
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- 反応性スパッタ法によるHfO_2膜の作製と電気特性評価
- 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
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- AlGaAs/GaAs多重量子細線の作製
- 多彩なメッセージ表現が可能なオブジェクト指向言語Koola
- オブジェクト指向言語Koola : グラフィックスクラスライブラリ
- オブジェクト指向言語Koola : 新しい概念と機能
- MOCVD法により成膜したHfO_2膜へのO_2リモートプラズマ効果
- 赤外線加熱を用いた試料加熱法
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