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松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター | 論文
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 擬似スーパージャンクション構造を有するGaN縦型ショットキーバリアダイオード(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 液中自己整合選択実装技術によるハイブリッド型高出力2波長レーザの開発(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ
- 2μm画素・2M-MOSイメージセンサ(イメージセンシング技術とその応用)
- a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
- a-Siカラーフィルタを用いた2μmセル・MOSイメージセンサ
- 1.75トランジスタ画素構成による1/4型200万画素CMOSイメージセンサ
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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