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松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター | 論文
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- SC-6-2 熱酸化プロセスのAlGaN/GaN系ヘテロ接合FETへの応用
- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
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- AlGaN/GaNヘテロ接合電界効果型トランジスタの高耐圧化技術
- 表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- ジメチルヒドラジンを窒素源に用いたGaNのマスクレスELO成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- チップサイズパッケージを用いた完全集積化Kバンド広帯域MMIC増幅器