a-Siカラーフィルタを用いた2μm画素MOSイメージセンサ(プロセッサ, DSP, 画像処理技術及び一般)
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概要
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検出回路アンプの4画素共有化技術と新規駆動方式により、1画素あたりのトランジスタ数1.5個を実現し、0.15μmの微細設計ルールを採用することで、約40%の配線面積の削減を実現した。さらに、アモルファスシリコン(a-Si)からなるカラーフィルタを開発し、有機顔料カラーフィルタに比べ1/10の薄型化を達成し、高集光率を実現した。結果として、30%の開口率を有する2.0μm画素サイズMOSイメージセンサを実現した。
- 2005-10-13
著者
-
山口 琢己
松下電器産業株式会社半導体社
-
村田 隆彦
松下電器産業株式会社情報機器研究所
-
山口 琢己
松下電器産業株式会社半導体デバイス研究センター
-
山口 琢己
松下電器産業(株)
-
稲葉 雄一
松下電器産業株式会社半導体デバイス研究センター
-
森 三佳
松下電器産業株式会社半導体デバイス研究センター
-
春日 繁孝
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
笠野 真弘
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
笠野 真弘
松下電器産業株式会社半導体デバイス研究センター
-
村田 隆彦
松下電器産業 ドキュメント技開セ
-
稲葉 雄一
松下電器産業 半導体デバイス研究セ
-
笠野 真弘
松下電器産業 半導体デバイス研究セ
-
森 三佳
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
稲葉 雄一
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
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