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松下電器産業(株)半導体社 | 論文
- 等価内部インピーダンスを用いたシミュレーションによるLSIのEMS評価
- LSIにおけるゲートレベルのEMIノイズ解析手法
- セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ
- 第58回 AES Technical Meetingの報告
- 強誘電体を用いた低電圧用負電位発生回路の提案(圧電デバイス・材料,強誘電体材料,有機エレクトロニクス,一般)
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- A-1-30 強誘電体プログラマブル・ロジック・デバイスの動作安定化検討
- 28p-K-13 溶液気化方式MOCVD膜中における残留カーボンの評価
- 極薄酸化膜を介したシリコンバンド間トンネル素子の形成と評価
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- C-10-15 セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-12 AlGaN/GaNヘテロ構造上にin-situ成膜した結晶状SiN極薄膜の評価(C-10.電子デバイス,一般講演)
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ,AWAD2006)
- 2次元周波数域設計を用いたアレイマイクロホンの指向性改善(HDA/一般)
- 広帯域ビーム形成用2次元FIRファンフィルタの2次元フーリエ級数近似による設計法(多次元信号処理とその応用・実現論文小特集)
- 光加入者システム用3R機能ワンチップ集積光受信ICの開発
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- PDSシステム用低雑音広ダイナミックレンジ光受信器
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