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松下電器産業(株)半導体社 | 論文
- 0.25μm CMOSを用いた156Mb/sバースト信号対応光受信ICの開発
- C-12-16 先頭検出機能を備える50Mb/sバースト信号用PLL回路とそれを用いた高感度光受信器
- 光加入者システム対応光受信ICの高性能化
- 0.35μmCMOSを用いた50Mbpsバースト対応光受信ICの開発
- 0.35μmCMOSを用いた50Mbpsバースト対応光受信ICの開発
- 0.35μmCMOSを用いた広温度範囲広ダイナミックレンジPDS対応ワンチップ光受信IC
- ステレオ超指向性マイクロホンの検討
- 高速ウェル制御回路のダイナミック電源･ウェルノイズの測定および解析方法
- 高速ウェル制御回路のダイナミック電源・ウェルノイズの測定および解析方法(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機器用システムLSI及び一般)
- デジタル回路における電源/ウェル雑音の高分解能測定技術(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- デジタル回路における電源/ウェル雑音の高分解能測定技術(システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用したVLSI)
- ハイブリッドポートアーキテクチャを備えた民生ネットワーク向け800Mb/s対応物理層LSIの開発
- 0.25μmCMOSを用いた1.25Gbit/sバーストモード光送受信LSIの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 0.25μmCMOSを用いた1.25Gbit/sバーストモード光送受信LSIの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- B-10-105 バーストモード消光比制御方式の開発(B-10. 光通信システムB(光通信))
- B-10-39 0.25μm CMOS を用いた 1.25Gbit/s バーストモード光受信 IC の開発
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- セルフアラインプロセスにより作製した大電流GaN系縦型電界効果トランジスタ
- 薄膜絶縁層を有するSiトンネルダイオードの作製と実証
- 3-4再生システム(3.業務用機器)(最近のサウンド技術)