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松下電器産業(株)半導体社 | 論文
- 格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
- A 160mW, 80nA Standby, MPEG-4 Audiovisual LSI with 16Mb Embedded DRAM and a 5GOPS Adaptive Post Filter(VSLI一般(ISSCC'03関連特集))
- C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- 大規模デジタル回路におけるグラウンド雑音の解析(信号解析,アルゴリズム,回路設計)
- GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 大規模デジタル回路におけるグラウンド雑音の解析(信号解析,アルゴリズム,回路設計)(デザインガイア2003 -VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
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- MESH-Array構造MOSを用いた900MHz帯CMOS低雑音増幅器
- アナログ回路設計に適したCMOSデバイス特性の表現法 : 動作電流によるアナログ特性の記述と応用を中心として ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- Mesh-Array構造のSi-MOSFETを用いた高周波回路の検討 ( アナログ・アナデジLSIおよび一般)
- 2)HDTVスタジオ伝送装置用チップセットの開発(無線・光伝送研究会)
- HDTVスタジオ伝送装置用LSIチップセットの開発 : 無線・光伝送
- C-3-43 情報家電における装置内光伝送技術の検討(アクティブモジュール,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- A-1-11 ストカスティック・コンピューティングによるマンハッタン距離の高速近似プロセッサ(A-1. 回路とシステム, 基礎・境界)
- C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
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