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東工大院工 | 論文
- 2L03 パルス MOCVD 法で原料供給方法を変化させた PZT 薄膜の微構造の高品質化
- 3D12 剛直棒状高分子におけるネマティック-スメクチック-カラムナー液晶相転移挙動の観測
- PLD法によるSiO_2/Si(001)基板上エピタキシャルYSZ薄膜の室温合成(セラミックスインテグレーション)
- 1D25 第一原子層制御を用いたヘテロエピタキシャル SrTiO_3/CeO_2(001) 薄膜の界面特性とその安定性
- 1D22 Si(001) 基板上低温化エピタキシャル YSZ 薄膜の合成の実現化
- Si(001)基板上へ成膜したイットリア安定化ジルコニア(YSZ)薄膜の初期のエピタキシャル成長過程へのSiO_2層厚さの影響
- パルスレーザー蒸着法によるSi(001)上へのYSZ薄膜のヘテロエピタキシャル成長に及ぼす酸素分圧とレーザーエネルギー密度の影響
- 1D11 PLD 法による Pb(Mg_Nb_)O_3 (PMN) 薄膜の強誘電特性の膜厚依存性
- ファインセラミックス
- ポリシランコレステリック液晶による波長可変円偏光フィルター特性
- 鉛系正方晶ペロブスカイト構造強誘電体薄膜のc軸配向度決定機構の解明 (特集 私の自慢の研究)
- 薄膜法を用いたフロンティアセラミックスの合成 (特集 フロンティアセラミックス)
- エピタキシャルチタン酸鉛薄膜の誘電特性に及ぼす外的応力印加により生じる残留応力の影響
- 非対称X線回折によるエピタキシャル薄膜の残留応力の評価手法
- 強誘電性・強磁性マルチフェロイック物質の現象と展望 (特集 エレクトロニクセラミックス薄膜)
- Si(001)基板上に作製したエピタキシャル成長ニッケル亜鉛フェライト薄膜の結晶構造と磁気特性におよぼすバッファー層の効果
- AlN焼結体中の不純物酸素と熱伝導率 (セラミックスと酸素)
- MOCVD法により合成したバリスター特性を有するNb,Bi同時添加SrTiO_3薄膜の成長挙動(セラミックスインテグレーション)
- 3L03 Structural and electrical properties of (Bi, La)_4Ti_3O_ thin films with a thin Bi_2O_3 top-layer prepared by chemical solution deposition method
- 1F25 Mosaic defect identification in multi-heteroepitaxial films by high-resolution X-ray diffraction