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東工大院工 | 論文
- バッファーレイヤーのセラミック薄膜への適用
- 機能性薄膜におけるバッファーレイヤの役割 (特集 セラミックスインテグレーション)
- 3L19 π種々の希土類元素を添加したジルコニアゲート絶縁膜の界面構造の高分解能 TEM 観察
- 3J09 Ni-Zn フェライト薄膜を成膜した FET 型トランジスタのメモリ動作への実現
- 3J07 強磁性体ゲート薄膜を有する MOS トランジスタの I-V 特性
- 3J02 バッファー層の最適化による高角形比 (Mr/Ms) エピタキシャル (Ni, Zn)Fe_2O_4 薄膜の作製
- 2L04 Si 基板上における Pb(Mg_, Nb_)O_3 薄膜のエピタキシャル成長過程と誘電特性
- 27pRB-7 θ-(BEDT-TTF)_2CsZn(SCN)_4の放射光を用いたパルス電流下変調構造測定(27pRB ET系(θ系),領域7,領域8合同招待講演,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pWB-10 θ-(BEDT-TTF)_2CsM'(SCN)_4の変調構造の電流による変化(ET塩(β,θ),領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aYN-7 θ-(BEDT-TTF)_2CsM'(SCN)_4の低温電場下X線散乱I(π-d系2, 電荷秩序1,領域7(分子性固体・有機導体))
- S0405-1-4 収差補正電子顕微鏡によるセラミック薄膜の界面構造解析(セラミックス/セラミックス基礎合材料I)
- 1D17 強誘電体 (Pb(Zr, Ti)O_3)/強磁性体積層薄膜における強誘電性、強磁性同時発現に向けた強磁性体およびバッファー層の最適化
- PLD法により作製したNi-Znフェライト薄膜の磁気特性に及ぼす組成,結晶性の影響(セラミックスインテグレーション)
- B7 エチレンオキシド鎖を層表面に固定化した層状ケイ酸塩-有機ナノ複合体の合成
- B20.層状ケイ酸塩への非イオン性界面活性剤のインターカレーション(一般講演 口頭発表,第50回粘土科学討論会発表論文抄録)
- 層状ケイ酸塩のシリル化を利用したケイ酸骨格の精密設計
- 層状ケイ酸塩を利用したナノ構造デザイン
- B20 層状ケイ酸塩への非イオン性界面活性剤のインターカレーション
- 収差補正TEMによるZrO_2超薄膜における構造遷移層の解明
- A11 層状オクトシリケート層間への安息香酸部位の固定化(口頭発表,一般講演)
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