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東京工業大学 量子効果エレクトロニクス研究センター | 論文
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ドライエッチングと埋め込み再成長法によるGaInAsP/InP歪補償多層量子細線レーザ
- 細線構造を有する分布反射型(DR)レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 低損傷CH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長による1.5μm波長帯GaInAsP/InP歪補償多層細線レーザの低しきい値動作
- 低しきい値・高効率動作のための活性層分離型分布反射型レーザの設計と試作
- 29p-ZL-19 CH_4/H_2-RIE/OMVPE再成長法によるGaInAsP/InP多層量子細線レーザ
- 28p-ZC-9 GaInAsP/InP低次元量子井戸構造のためのCH_4/H_2ドライエッチング/埋込み再成長
- 28p-B-10 CH_4/H_2-RIEとOMVPE埋め込み再成長によるGaInAsP/InP DFBレーザの作製
- 28a-B-9 1.55μm波長GaInAsP/InP圧縮歪多重量子井戸レーザの温度特性
- 29p-ZH-4 GaInAsP/InP細線レーザの自然放出光からの表面再結合速度の見積もり
- GH_4/H_2ドライエッチングと埋め込み再成長によるGaInAs/PInP多層量子細線レーザ
- GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
- GaInAsP/InP量子細線レーザの作製とその光学利得特性評価
- 凹凸形状回折格子を用いた半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- 誘電体クラッド半導体薄膜BH-DFBレーザ(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- テーパ状導波路を有する半導体光励起方向性結合型光スイッチ
- Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
- Si基板上Si/CdF_2量子井戸構造を用いた電界効果型量子効果デバイス
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