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東京工業大学精密光学研究所 | 論文
- CLEO/QELS'95報告 III-半導体レ-ザ-,光スイッチ,演算・記憶システム,光検出器とEO技術,ファイバ-レ-ザ-,光通信-
- AlAs選択酸化を利用する極微構造InGaAs/GaAs面発光レーザに関する基礎的検討
- (311)A面InGaAs/GaAs歪量子井戸面発光レーザの発振特性
- Modelling of VCSELs Including Carrier Diffusion and Diffraction Losses
- (311)A面上面発光レーザの発振特性一偏波制御と低しきい値化の実現一
- 極微構造 InGaAs/GaAs 面発光レーザの低しきい値動作
- 極微InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値化
- MOCVD成長InGaAs/GaAs面発光レーザの低しきい値動作
- 金属/半導体偏光子を用いた面発光レーザの偏波制御
- C-11-9 共沸硝酸酸化 SiO_2 の強誘電体ゲートトランジスターバッファ層への応用
- 磁気ひずみ材料および電気ひずみ材料の疲れ試験
- 超音波振動によるねじのゆるみ : 座面の分離現象
- 超音波振動によるねじのゆるみ : 締結状態の評価
- ウォームホブの研究 (第1報) : 二番面研削砥石形状の数値解析
- プラスチックの超音波溶接時の負荷抵抗の測定 : プラスチックの超音波溶接II