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東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 | 論文
- C-10-2 デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- InGaAs MOSFETの高電流密度化(招待講演,ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- エピタキシャル成長ソースによるInGaAs MOSFETの高電流密度化
- InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- InGaAs MOSFETにおけるソース充電時間の検討
- InGaAs MOSFET の高電流密度化
- 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- C-10-5 GaN HEMTの電界とゲートドレイン間容量のトレードオフとPAEへの影響についてのシミュレーション解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- C-10-4 トランジスタ動作時におけるGaN HEMTゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析(半導体材料・デバイス)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- AlGaN/GaNH EMTのドレインリーク電流解析(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- 短ゲート化によるSSPS用GaN増幅器の高効率化検討(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
- C-10-1 ソースフィールドプレートGaN HEMTのドレインソース間容量とドレイン抵抗のトレードオフの解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-8 n-InPソースを持つTゲート構造InGaAs-MOSFETの高周波特性(C-10.電子デバイス)
- モデルパラメータ抽出用にドリブン・シールドを用いて作製したトランジスタマトリックスDC TEG
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