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東京工業大学理工学研究科電子物理工学専攻 | 論文
- 有機FETにおけるキャリア挙動の電極金属依存性 : 時間分解SHイメージングによる直接観測(材料デバイスサマーミーティング)
- 有機FETにおけるキャリア挙動の電極金属依存性 : 時間分解SHイメージングによる直接観測(材料デバイスサマーミーティング)
- 循環システムにおける90度位相差分波器の設計
- ペンタセンFETのキャリア輸送に対する絶縁膜の効果 : TRM-SHGで見る界面トラップ
- 電界誘起光第二次高調波発生法による有機電界効果トランジスタの面内電界分布(光機能性有機材料・デバイス,光非線形現象,一般)
- A-16-27 匂いセンサを用いた視嗅覚情報の同時記録再生システム(A-16. マルチメディア・仮想環境基礎, 基礎・境界)
- A-16-40 インターネットを介した匂いの再生システム(A-16. マルチメディア・仮想環境基礎)
- C-12-15 60GHz帯局部発振器における20GHz位相同期回路(C-12.集積回路,一般セッション)
- InP系極微細ヘテロ接合トランジスタ
- 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 裏面電極を有するIII-V族量子井戸型チャネルMOSFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- A-16-41 匂いセンサを用いた視嗅覚情報の同時記録再生(A-16. マルチメディア・仮想環境基礎)
- 電磁界・回路連成解析の一検討 : 1次元FDTD解析のSPICEへの組込(マイクロ波,EMC,一般)
- 電磁界・回路連成解析の一検討 : 1次元FDTD解析のSPICEへの組込(マイクロ波,EMC,一般)
- C-10-11 ソース裏面電極によるInP/InGaAsコンポジットチャネルMOSFETのアクセス抵抗低減(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 電磁界・回路連成解析の一検討 : 1次元FDTD解析のSPICEへの組込(マイクロ波,EMC,一般)
- C-10-10 電子ランチャを持つInGaAs MOSFETにおけるヘテロ障壁高さ依存性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-12 GaAsSb/InGaAsヘテロ接合を用いた縦型トンネルFETの作製・評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- ソフトウェア無線へ向けたCMOSマルチバンド電圧制御発振器の研究(技術展示,技術展示/製品展示,リコンフィギャブルハードウェア,一般)
- 招待講演 InGaAs MOSFETの高電流密度化 (電子デバイス)
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