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早稲田大学ナノテクノロジー研究所 | 論文
- 大面積モールド作製プロセスおよびナノインプリント装置用アライメント技術
- ナノインプリントを用いたポリマー導波路型波長フィルターの作製と評価(量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- Al-Si合金膜表面のジンケート処理に対する下地Si基板の影響
- ナノスプレー一体型ポリマー製マイクロチップにおける電気泳動分離-質量分析検出
- 複合ナノインプリントプロセスとデバイスへの応用
- UVナノインプリントを用いた高アスペクト比Siナノ構造体の作製
- W13-(3) ポリマーMEMSとマイクロTASへの応用(マイクロ加工およびマイクロTAS,ワークショップ)
- 金属/high-k絶縁膜構造トランジスタにおいて金属結晶が閾値電圧ばらつきに及ぼす影響とその抑制(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価
- シリコン導波路上ブラッググレーティングによるバンド選択インターリーバの作製と評価
- 25aYC-11 有機グラフォエピタキシーの基板依存性から見たその成長機構(25aYC ナノチューブ・ナノワイヤ・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 28pXJ-9 人工周期構造を持つ熱酸化シリコン基板上におけるsexithiopheneの面内選択配向成長(28pXJ 結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 磁気力顕微鏡を利用した電流誘起磁場測定における電流定量評価の可能性(計測・高周波デバイス)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 中モードサイズを有する実用的SOIリブ導波路の設計, 作製と評価(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
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