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日立製作所 中央研究所 | 論文
- ダマシンCu配線における絶縁劣化現象
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー銅CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- ED2000-47 / SDM2000-47 低寄生容量銅多層配線のための新しいプロセス技術 : 砥粒フリー鋼CMP(ACP)及び新低誘電率材料:メチルシリコンオキシカーバイド(MTES)
- 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
- Cu電界ドリフトによる絶縁破壊
- ドライエッチング法を用いた二層Cu配線プロセス
- LSIアルミニウム配線のエレクトロマイグレーション
- Real-time Tissue Elastography における歪み比の検討
- Real-time Tissue Elastography 用ファントムの開発
- 大容量タービン発電機レーベル転位巻線の温度解析
- 温度制限を考慮したタービン発電機の最大出力動作点解析の一方法
- 250MVA空気冷却発電機の性能評価
- 3P5-6 位置補正処理によるパワードプライメージングの高精細血管描出法(ポスターセッション)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 半導体検出器を用いたPET画像診断の展望
- CdTe半導体PETイメージング
- 実現した半導体検出器によるPET画像