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日立製作所 中央研究所 | 論文
- 不純物を抑制したMBE成長GaInNAs/GaAsレーザの特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 1.1μm帯GaInAs変調ドープMQWレーザの40Gb/s直接変調動作(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- MONOS型メモリの電荷蓄積機構の理論的研究(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 熱処理したZnCdSe/ZnSe量子井戸の発光特性(II)
- 3p-X-4 熱処理したZnCdSe/ZnSe量子井戸の発光特性
- ZnMgSSe系青緑レーザのp型結晶の検討
- 40Gbit/s伝送用光変調器モジュールのIC駆動
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- ポリマ光導波路を用いた光送受信モジュール
- フッ素化ポリイミドを用いた1×8デジタル光スイッチ(2)
- フッ素化ポリイミドを用いた1x8デジタル光スイッチ
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
- 1.3μm帯MQW半導体光増幅器
- MQW電界吸収型超高速光ゲート
- MBE再成長法によるGaAs/InGaAs系モノリシック型光集積素子(1) : 再成長界面の位置に関する検討
- 超高速電界吸収型光ゲートスイッチ
- 40Gbit/s 用導波路集積化MQW電界吸収型光変調器