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日本電気(株) | 論文
- サービスレベル管理のための優先制御機能を有したヘテロジニアス環境適応型サーバ容量計画法(サービス管理,ビジネス管理,料金管理,及び一般)
- 2層フィーチャモデルを用いた開発手法の提案と実装(開発支援・開発手法)
- 3.サイトを越えるサービス連携における認証・認可,プライバシ情報保護技術(地域サービスの高度化に向けて-SOA活用でサービスを連携・統合-)
- 1.ビジネスグリッドの狙い(ビジネスグリッドコンピューティング)
- 高速低電力GaAsディレイフリップフロップの設計、試作、評価
- 5GHz, 1.93mWネガティブエッジ形GaAsディレイフリップフロップの試作とその性能
- 機械工学年鑑(1988年) 加工学・加工機器
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD-2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- ED2000-137 / SDM2000-119 / ICD2000-73 TaおよびTaN積層バリア膜をもつCu/poly-SiダマシンゲートMOSFET
- 次世代LSIパッケージ用チップ及びパッケージレベルのシームレスインターコネクト技術 (シリコン材料・デバイス)
- 5.複数組織がかかわるビジネスプロセスを改善するためのモニタリング技術(地域サービスの高度化に向けて-SOA活用でサービスを連携・統合-)
- クロスサイトプロセスのモニタリングビューを提供するメタモデルと識別子情報に関する検討(セッション1)
- 高付加価値サービスに関するサービス連携基盤技術(ポスターセッション)
- 高付加価値サービスに関するサービス連携基盤技術
- 強誘電体メモリ(FeRAM)の長期データ保持特性テスト法(システムLSIのための先進アーキテクチャ論文)
- C-12-54 メモリセル読み出し信号電圧に着目したFeRAM評価手法
- プロセス ロジック混載強誘電体メモリ回路技術の開発 (半導体デバイス特集) -- (基盤技術)
- NV-SRAM:強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- NV-SRAM : 強誘電体容量を用いた不揮発性SRAM
- C-12-37 スマートカードLSI混載用128KビットFeRAMマクロ