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日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 | 論文
- 3)新配線小型ショットキバリアIR-CCDイメージセンサ(情報入力研究会)
- 3.情報入力(テレビジョン年報)
- 3-14 超高解像度CCDイメージセンサ
- 4)高性能インターライン転送方式CCDイメージセンサ(テレビジョン電子装置研究会(第86回))
- GaAs ICにおけるサイドゲート効果
- LEC GaAs結晶中の局所歪み : II. LEC GaAgにおける偏析現象
- ハイビジョンCCDカラーカメラ : 方式・回路 : 電子装置
- 新配線小型ショットキバリアIR-CCDイメージセンサ : 情報入力
- 3-14 縦形オーバフロー構造CCDイメージセンサのブルーミング抑制機構
- 空中超音波フェーズドアレイとその応用システム : 電子装置
- CICC'89
- シリコン直接窒化+酸化法による2.5nmゲート絶縁膜形成とMOSFET特性
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 極薄ゲート酸窒化膜を用いた高信頼性0.25μmMOSFET
- 27aC4 SPA法によるSi表面の観察 : HClによるエッチング過程の検討(気相成長I)
- 超高真空気相成長法によるシリコン低温結晶成長における水素の効果
- 14a-DH-10 Si(001)面上のGeのStranski-Krastanov成長における欠陥とアイランド構造の形成
- 1GビットDRAM用極薄Ta_2O_5膜形成技術
- 半球状グレインポリシリコンの形成機構
- 異方性選択エピタキシャル成長を用いたギガビットDRAMコンタクト技術 : セルフアラインコンタクトパッドの形成