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日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- SIMSによるSi,GaAs中の不純物分析
- APLS2004開催報告
- 極浅領域の深さ方向分析多層BNデルタドープ標準物質とそれによるスパッタ速度変化の評価
- 21pTL-6 SIMOX MOSFET 中量子井戸の二次元電子系 : 谷分離と二層系
- フェムト秒レーザ励起軟X線源と時間分解X線吸収分光への応用 (特集 NTT物性科学基礎研究所における光研究最前線)
- フェムト秒レーザー生成プラズマX線による時間分解吸収分光
- C-3-57 フォトニック結晶と機能材料の複合技術
- 3次元フォトニック結晶へのIIIV族化合物半導体活性層の埋込み
- Siドープ AlNおよび高Al組成AlGaNのn型伝導性制御(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- Al_Si_xN固溶体形成とフィールドエミッション
- 窒化したGaAs表面のSTM加工を用いたGaAsナノ構造の選択成長
- 高真空STMによるMOCVD成長の表面拡散とステップバンチング機構の解明
- STMによる微傾斜基板上MOCVD成長GaAsのステップ構造の観察
- 走査プローブ顕微鏡を用いたレジストパターン評価
- Si基板上の単層カーボンナノチューブのSEM観察
- フェムト秒レーザープラズマ軟X線による時間分解XAFS計測