スポンサーリンク
日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- 27pXP-3 二次元フォトニッククリスタルスラブ中のダイポールからの発光特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTG-2 フォトニッククリスタルスラブ構造からの発光の解析(量子エレクトロニクス, 領域 1)
- 半導体
- 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長
- 単層カーボンナノチューブの発光
- 21aYC-3 微傾斜 Si(111)-7x7 基板上でステップフロー成長中に起こるステップバンチング
- ステップの挙動II : ステップフローとその不安定化
- 薄膜・表面
- 28aTA-7 高温度領域におけるSi(111)微斜面上直流通電誘起ステップ束の成長過程
- 半導体
- 28a-YW-12 GaAsMBE成長のSEMその場観察 : モノレイヤ深さの穴の熱処理による消滅
- 私とJJAP : 期待すること, 私にできること
- 深紫外光源のための窒化物半導体の開発
- 選択成長マイクロファセットを用いたGaN系面発光型レーザー
- C-10-11 ダイヤモンドFETの高周波特性と等価回路解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 高温・高出力動作Pnp AlGaN/GaN HBTs(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-10-11 ダイヤモンドMESFETの1GHz,2W/mm級電力動作(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- ナイトライド系結晶成長技術とヘテロ接合バイポーラトランジスタへの応用
スポンサーリンク