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新日本無線株式会社 | 論文
- バナジウムイオン注入ガードリングを用いた4H-SiC PiNダイオードの逆方向特性(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- SiC半絶縁性基板上へのイオン注入を用いたMESFET作製
- イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- イオン注入を用いた半絶縁性SiC基板上へのMESFETの作製
- C-10-3 ECRスパッタを用いた絶縁ゲートAlGaN/GaN HFETのDC特性評価(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 3)高性能ディスペンサーカソード(テレビジョン電子装置研究会(第142回))
- 高性能ディスペンサーカソード
- 高性能ディスペンサ-カソ-ド
- 2)含浸型カソードの概要と特性改良について(テレビジョン電子装置研究会(第85回))
- 含浸型カソードの概要と特性改良について(カソードの最近の進歩)
- 1.9GHz帯GaAsパワーアンプのCSP化
- 電界放射冷陰極アレイを用いた高効率マイクロ波逓倍増幅管
- C-12-51 スペクトル拡散通信用3GChip/s CCD相関器の試作および評価(C-12. 集積回路C(ワイヤライン),一般セッション)
- C-12-20 4次OTA-C複素バンドパスフィルタの試作
- コセカントビームホーンアンテナを用いたアレイアンテナの特性
- 12-3 受信障害対策用SHF放送送信アンテナ
- SiC高周波MESFETの開発
- SC-6-4 SiC 高周波デバイスの開発状況
- SiC高周波MESFETの開発(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性