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新日本無線株式会社 | 論文
- SiC-MESFET高周波特性のゲート長依存性 : ショートチャネルSiC-MESFETの高周波特性
- ダイヤモンドの選択成長法
- 微細構造を有するタングステン層により電子放出面積を増大させたイリジウム被覆含浸型カソードの電子放出特性
- Si電界放射陰極の電子放出特性
- ビーム物理研究における微小電子源の利用
- SiC高周波電子デバイスにおける最近の研究動向
- Si液相成長の溶質輸送に対する重力効果
- 準光学的共振器を用いた短ミリ波帯共鳴トンネルダイオードのコヒーレント電力合成
- 準光学的共振器を用いた短ミリ波帯電力合成型ガンダイオード発振器
- 共鳴トンネル・ダイオードを用いたミリ波・サブミリ波帯準光学的発振器アレイ : 理論的検討
- C-10-5 Si基板上AlGaN/GaN HFETにおけるバッファ層の影響(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 直列接続法による共鳴トンネルダイオードのスプリアス発振抑制
- 直列接続型共鳴トンネルダイオード発振器の基礎特性
- 導波管アレイ共振器を用いたミリ波帯電力合成型発振器
- 直列接続型共鳴トンネルダイオード発振器の基礎特性
- 導波管アレイ共振器を用いたミリ波帯電力合成型発振器
- 導波管アレイを用いた94GHz帯空間電力合成型ガンダイオード発振器
- 新型ミリ波帯近接場顕微鏡によるフォト・キャリアの画像化
- オーバーモード導波管共振器を用いたミリ波帯空間電力合成型ガンダイオード発振器
- スリット型プローブを用いたミリ波帯近接場顕微鏡の基礎特性