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新日本無線株式会社 | 論文
- CS-9-4 リセスゲート構造を有するLT-GaN/AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- コプレーナ線路を用いたV帯フリップチップガン発振器
- フリップチップ実装を用いたAIN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- 極薄ゲート酸化膜poly-Si TFTの作製・評価
- A19 野球のピッチングにおけるボールの画像解析(野球)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- フリップチップ実装技術を用いた低位相雑音76GHz帯プレーナ構造ガンVCO(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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- C-12-45 スペクトル拡散通信用 CCD 相関器の試作
- C-2-27 60GHz帯GaAsフリップチップガン発振器の信頼性評価
- フリップチップ実装を用いたAIN基板上のV帯プレーナー構造ガンVCO
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- 結晶性ダイヤモンドからの電界電子放射
- フリップチップガンタイオード
- AlN基板に実装した高性能V帯フリップチップガン発振器
- C-6-8 炭素によるSiドープGaNの高抵抗化機構(C-6.電子部品・材料,一般セッション)