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富士通(株) | 論文
- 8.100億規模のWebページ収集・分析への挑戦(第2部:情報の高信頼蓄積・検索技術等の開発,学と産の連携による基盤ソフトウェアの先進的開発)
- 折返しミラー光学系を用いた組立簡易3次元MEMS光スイッチ(光部品の実装,信頼性)
- 折返しミラー光学系を用いた組立簡易3次元MEMS光スイッチ
- 下り155Mb/s・622Mb/s共用化ATM-PON用OLT光モジュール
- B-10-58 下り155Mb/S・622Mb/S共用化ATM-P0N用OLT光モジュール
- Sub-30nm NMOSFETにおけるゲートLER起因閾値電圧ばらつきを抑制するための包括的な不純物分布設計法(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 100W出力AlGaN/GaN EモードHEMT増幅器(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高耐圧 E-mode AlGaN/GaN HEMT 実現のための新規リセス構造
- 絶縁ゲートGaN-HEMTの電流コラプス
- ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI)を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET : ハイブリッド・ゲート構造(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 不純物閉じ込め層(DCL)を有するサブ40nm高性能CMOS特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 28p-B-5 収束電子線回折像におよぼす不純物原子の効果
- 31p-C-5 CBED法によるSi中のイオン打ち込みされた不純物濃度分布の決定
- 3p-X-6 大角度収束電子線回折法による不純物原子のDebye-Waller factor および濃度決定
- マルチエミッタ型RHETを用いた論理集積回路
- FeCo電析薄膜の磁気特性と結晶構造に及ぼす下地層の影響(ソフト磁性材料)
- 高性能ライトヘッド用高B_s軟磁性材料
- スパッタFe_Co_二元合金膜における軟磁気特性の膜厚依存性
- 高位記述の並列化によるHDLシミュレーションの高速化
- 汎用アクセラレｰタTP5000による mincut 配置の高速化