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大阪産業大学工学部電気電子工学科 | 論文
- In-Te系半導体中の高電流密度通路
- 非晶質InxSe1-x薄膜の電気的光学的性質とその応用--光起電力素子
- Te-In系半導体の電流-電圧特性とその応用
- レ-ザ-アブレ-ション法にて作製したZnO:Al薄膜の電気的光学的特性
- 高周波スパッタリング法にて作製したZnO : Al薄膜の結晶成長-スパッタ圧力依存性-
- Bi-Pb-Sb-Sr-Ca-Cu-O系高温超伝導体のバルクおよび薄膜の作成
- 消去可能Ag-In-Te-Sb系光記録膜
- 書き換え可能In-Se-Tl系光記録膜
- パルスレーザー堆積法で作製した酸化亜鉛・酸化ガリウム系光記録膜
- β-FeSi_2薄膜のNd:YAGレーザーによるアニーリング効果
- ArFエキシマレーザーによりレーザーアニーリングを施したβ-FeSi_2薄膜
- 省インジウムを目的として作製した積層型透明導電膜の特性
- スプリットターゲットを用いるパルスレーザー堆積法により作製したGa_2O_3-In_2O_3系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法で作製した積層型透明導電膜の特性
- Nd:YAGレーザーを用いた酸化亜鉛系透明導電膜へのアニール
- ポリマー基板上へ作製したZnOバッファ層によるAl添加ZnO透明導電膜の特性改善
- パルスレーザー堆積法により作製したアルミドープ酸化亜鉛透明導電膜の超薄膜化
- パルスレーザー堆積法により作製したモリブデン酸化物光記録膜の光記録特性
- パルスレーザー堆積法によりシクロオレフィンポリマー基板上に作製したアルミニウムドープ酸化亜鉛系透明導電膜
- パルスレーザー堆積法により作製した酸化亜鉛系透明導電膜の仕事関数制御