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大阪大学基礎工学部電気工学科 | 論文
- 31a-Q-12 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収II
- 7a-N-8 量子ドット配列中の電子系の遠赤外磁気光吸収
- 極薄酸化膜およびプラズマ損傷のあるSi表面の光学的評価
- ダイヤモンド薄膜表面のカソードルミネッセンスによる評価
- ダイヤモンド薄膜 - ここまできた薄膜成長と応用素子 -
- 楕円誘電体棒共振器を用いる超伝導薄膜異方性マイクロ波表面抵抗の測定方法
- F-Nトンネル電流ストレスによる(100)Si/SiO_2界面準位の生成機構とその特性
- テーパ形光導波路を用いた疑似位相整合第2高調波発生素子
- Electron-Beam-Induced Oxidation for Single-Electron Devices
- 強誘電体薄膜の最近の展開
- PMN-PTセラミックからのパルス電界誘起電子放出
- 酸化物強誘電体薄膜とデバイス応用
- 強誘電体薄膜とセンサ
- 強誘電体メモリー
- マイクロ波励起光源の開発
- フォトレフレクタンス分光法の高感度化に関する研究
- フォトレフレクタンス分光法によるSi表面温度の非接触計測
- 強誘電体薄膜とセンサ開発
- 周期的分極反転を用いた疑似速度整合形電気光学変調器による広帯域サイドバンド生成
- 表面損傷を有するSiウエハの反射分光法による評価