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名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター | 論文

• Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
• 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)

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