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名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター | 論文

• SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究
• Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Si基板上AlGaN/GaN HEMTの高耐圧化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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• 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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• 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ
• GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
• 透明ゲートAlGaN/GaN HEMTを用いた紫外線フォトディテクタ
• GaN系MISダイオードにおける絶縁膜及び界面の評価
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• Si基板上GaN系HEMTにおける光照射時の過渡電流評価(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
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