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名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター | 論文
- MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
- [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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- PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- ハイドープSiエピタキシャル基板の精密加工技術
- RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
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- C-4-25 GaN/AlGaN distributed Bragg reflectorを用いたInGaN MQW LEDの高性能化
- Si基板上GaNの暗点密度観察
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- AlNテンプレート上高効率AlInN紫外線受光素子(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 259 力覚情報を用いたロボットの接触状態の同定 : 実験データによる不確かさの評価(GSロボティクス2)