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名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター | 論文
- 507 ロバスト安定性と目標点移動を考慮した適応能動騒音制御(OS7-2 制御理論の新展開と機械システムへの応用2,OS7 制御理論の新展開と機械システムへの応用)
- 大きさ・位置特定ネットワークによる最高速度標識の認識システム
- A-1-9 CMOS多値回路の設計と画像処理への応用
- D-2-1 生態の視覚系モデルによる動き検出アナログ電子回路
- エピタキシャルリフトオフ法によるSi基板上GaAs太陽電池の特性(III族窒化物研究の最前線)
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- 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- AlGaN/GaN HEMTの高周波特性
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- 4H-SiC基板上AlGaN/GaNヘテロ構造の特性と電子デバイス応用(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- MOCVD法による4インチSi基板上GaN及びAlGaN/GaNヘテロ構造の結晶成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- Si基板上GaAs系レーザに関する研究
- Si基板上赤外面発光レーザ用半導体多層膜反射鏡