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名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター | 論文
- 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究
- 有機金属気相成長法によるSi基板上GaAs系面発光レーザに関する研究
- Si基板上GaAs系面発光レーザの特性改善に関する研究
- エピタキシャルAlN/Sapphireテンプレート上に成長したInGaN系LEDの評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- エピタキシャルAlN/Sapphireテンプレート上に成長したlnGaN系LEDの評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN HEMTの諸特性
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- リセスゲートを用いたサファイア基板上のAlGaN/GaN MODFETの諸特性
- 常圧MOCVD法によるGaN/AlGaN多層膜反射鏡の作製
- Metal Organic Chemical Vapor Deposition Growth and Characterization of AlInN-Based Schottky Ultraviolet Photodiodes on AlN Template
- Deep Traps in InAlN Lattice-Matched to GaN Grown by Metal Organic Chemical Vapor Deposition Studied by Deep-Level Transient Spectroscopy
- Si基板上p-InGaN/AlGaN/GaN HEMTのノーマリオフ特性
- DLTS法によるSi(111)基板上n-GaN中の深い準位の測定
- InGaN LEDs on Si grown by MOCVD(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待講演] InGaN LEDs on Si grown by MOCVD(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- ECRスパッタSiNの膜質がSiN/AlGaN/GaN MIS-HFET特性に与える影響
- Si基板上の自己形成GaAsアイランドレーザーの閾値電流の解析
- Si上面発光レーザ
- Si基板上へのGaAs系およびGaN系結晶のヘテロエピタキシーとデバイス応用
- 506 劣駆動非ホロノミック飛行船の自動制御 : 風外乱オンライン推定と周期的な切替に基づくコントローラの低ゲイン化(OS7-2 制御理論の新展開と機械システムへの応用2,OS7 制御理論の新展開と機械システムへの応用)