スポンサーリンク
名古屋大学大学院工学研究科電子工学専攻 | 論文
- 28pB21P 高感度プラズマシース電界測定のためのArレーザーシュタルク分光計測(プラズマ基礎・応用、計測)
- 25pB02 アルゴンをプローブ粒子としたレーザー誘起蛍光減光法による超高感度電界計測(プラズマ基礎・応用I)
- CrPt_3規則合金膜の垂直磁気異方性と磁気光学効果(光記録及び一般)
- CrPt_3規則合金膜の垂直磁気異方性と磁気光学効果
- AlGaN中間層を用いて作製したSi上選択成長GaNのTEM観察 : エピタキシャル成長II
- AlGaN中間層を用いてSi上に選択成長したGaNピラミッドのTEM観察
- 選択成長によるGaNの結晶学的評価
- 有機金属気相法で作製したInGaN厚膜の成長過程のTEM観察 : 組成不均一の発生(III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)
- パターン基板上MBE成長による結合量子ディスクの作製(量子効果デバイス及び関連技術)
- 27aC19P 真空中でのレーザーアブレーションによる巨大炭素クラスターの生成機構の考察(プラズマ基礎・応用)
- 30pA15P 高密度水素プラズマにおける相互中性化反応過程(プラズマ計測)
- スパッタリングプラズマの高精度解析 : レーザー誘起蛍光法によるプラズマ診断
- レーザーアブレーションの実験技術 : 計測技術を中心として
- エレクトロニクスとプラズマ (ナノテクとプラズマ)
- 1 反応性プラズマのレーザー分光計測(プラズマの基礎・応用研究最前線(中部地区若手・中堅研究者の挑戦))
- 1 Introductory Talk : 拡大するレーザーアブレーション研究とその応用(シンポジウムVI : レーザーアブレーションプラズマの基礎と応用)
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長とその評価
- MOVPE 法によるInGaN の結晶成長 : エピタキシー I
- MOVPE法によるInGaNの結晶成長及び評価