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京都工芸繊維大学大学院 電子システム工学部門 | 論文
- 光CVD法による窒化シリコン膜のシリコンとの界面特性改善と膜中トラップの評価方法
- 極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像
- 極低温走査型光学顕微鏡によるワイドギャップ半導体のディープサブミクロンホトルミネセンス像
- 有機金属分子線エピタキシャル法による可視発光半導体GaAsPのSi基板上成長(平成9年度第3回)関西支部研究例会の講演要旨
- MOMBE法を用いたSi上GaAsPの結晶成長
- RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定
- RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定
- 有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積
- ハイブリッドプラズマCVD法により堆積したa-SiC:Hの結合様式の解析
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,および一般)
- 分子線エピタキシー法によるGaAs_Bi_x/GaAs多重量子井戸構造の製作
- 有機液体原料を用いたラジカルビーム堆積法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積(半導体エレクトロニクス)
- サブミクロン分解能を持つ極低温顕微ホトルミネセンス測定装置
- サブミクロン分解能を持つ極低温顕微ホトルミネセンス測定装置
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- サブミクロン解像度極低温顕微ホトルミネセンス装置の開発とワイドギャップ半導体の欠陥検出への応用(半導体エレクトロニクス)
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性(奨励講演,半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 光励起によるGaAs_Bi_x/GaAs薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 : その発振波長の低温度依存性
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