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京都大学 大学院工学研究科 附属量子理工学教育研究センター | 論文
- 200kVArガスクラスターイオンビームによる浅い注入層の形成
- ガスクラスターイオンの表面衝突(原子核とマイクロクラスターの類似性と異質性,研究会報告)
- ICBによるエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の形成と応用
- ICBによるSi基板上のエピタキシャルAl/Al_2O_3積層構造の共鳴トンネルデバイスへの検討
- ガスクラスタイオンビームによるナノ加工技術
- クラスターイオン衝突における非線形照射効果とそのプロセス応用 (小特集 イオン技術の新しい発展)
- ガスクラスターイオンビームの大電流化及び表面高機能化
- レーザ誘起昇温脱離法(LITD)によるプラズマエッチング中の試料表面の評価
- 低エネルギーホウ素イオン注入におけるホウ素の蓄積・脱離過程のシミュレーション
- 分子動力学法を用いたFイオン照射によるSi表面エッチングのシミュレーション
- ガスクラスターイオンビームを用いた半導体表面処理技術の開発
- イオン工学的手法による高機能薄膜形成・結晶成長に関する現況
- ガスクラスタイオンビームによるナノ加工技術
- クラスターイオンビーム技術の最近の進展
- 反応性クラスターイオンビームによるエッチング
- 29p-PSB-30 クラスターイオンによるスパッタリング
- クラスターイオンビームによる先端加工プロセス (特集 最近のオプトメカトロニクス用材料の加工・洗浄技術を追う)
- クラスターイオン衝突における非線形照射効果とそのプロセス応用
- クラスタ-イオンビ-ム(ICB)技術による光学薄膜材料創製 (光源材料--表面・界面特性)